汇报主题： 钻研引发电子对于器件和纳米资料影响的新型尝试规划
报 告 人：Bruno GRANDIDIER 教授（法国国度科研中心微电子与纳米技术钻研所（IEMN）主任钻研员)
汇报功夫：2014年7月1日（周二)9:00
汇报地址：校本部G309
主办部门：理学院物理系
邀 请 人: 查访星教授
摘 要： 在半导体的好多利用中，局域导电性的表征对于器件最终机能评价极度关键。随着尺度降低，传统步骤如四探针丈量会对样品产生很大危险。因而，扫描隧路显微镜（STM）就成极有潜力的测试伎俩--它不仅不使用电极且可提供极高空间分辨。利用STM针尖的扫描能力可获得载流子倍增效能的空间分辨，而得以在纳米尺度探索关于硅PN结的碰撞离化，载流子扩散和复合的组合效应。利用SEM发射电子对资料引发可产生多种反映并扭转资料个性。本汇报会商电子辐射怎么影响单个半导体纳米线和纳米晶体的输运性质。电子辐射后上述纳米结构的导电性会产生极大的且具可沉复性的增长；此效应能够分辨表表和体资料对电子输运的贡献。最后我们提出提高半导体纳米结构对电子辐射耐受性的解决规划。
汇报人简介： Bruno GRANDIDIER 教授 现为法国国度科研中心微电子与纳米技术钻研所（IEMN）主任钻研员。并担任ISEN物理系系主任。钻研领域重要涉及低维纳米资料的造备及电输运个性表征，纳米资料在光伏太阳能中的利用，以及扫描隧路显微镜的表征。已颁发学术论文80余篇，蕴含Science，PRL，Nanoletters等顶级期刊中论文10余篇。
