主讲人：Kjell Jeppson 教授 瑞典查尔莫斯理工大学 微技术及纳米科学系 ，
功夫：2013年3月20日10:50
地址：校本部乐乎楼思源厅
提要：碳纳米管拥有优异电学机能、热学机能和机械机能 ，能满足将来微系统集成技术微型化、高靠得住性、高散热需要的挑战 ，是梦想微电子封装资料。在3D集成和SIP封装技术领域 ，使用化学气相沉积法成长造备垂直碳纳米管阵列能用作互连、热界面资料及微型散热片。本汇报将介绍一些垂止伢列碳纳米管造备关键技术 ，蕴含碳纳米管成长技术、致密技术、转移技术、堆叠技术和电机能表征技术 ，进而使得碳纳米管能在3D堆叠集成技术中取代传统资料铜。通过整合低温转移、致密化、平展化等技术工艺 ，得到齐全的碳纳米管TSV工艺流程。如今的碳纳米管通孔电机能已大为改善 ，在与半导体工艺技术兼容性方面拥有优良利用远景。
Kjell Jeppson 教授简介
Kjell Jeppson教授 ，IEEE平生会员 ，1977年在瑞典查尔莫斯理工大学获得固体电子学博士学位。他曾持久在加利福尼亚Rockwell International工作 ，1985年曾在英国Southampton University微电子中心工作。1993至2000年担任查尔莫斯理工大学电子工程学院副主任 ，并掌管EE项目鼎新。Jeppson教授目前是嵌入式电子系统设计硕士课程主任。
Kjell Jeppson教授重要钻研方向蕴含碳纳米管TSV利用于3D芯片封装互连 ，MOS及双极器件建模 ，CMOS VLSI设计等。Kjell O. Jeppson教授还从事过MNOS非易失性存储器表征、MOSFET晶体管模拟和参数提取、CMOS门延长等方向钻研 ，著佑锥半导体器件》（瑞典语）。同时 ，Kjell O. Jeppson教授还是瑞典SoC技术委员会委员、Norchip会员、EWME技术委员会会员 ，担任微电子检测结构国际会议（ICMTS）的技术委员会主席和大会主席。
机电工程与自动化学院
